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1、高电压分辨率≤0.6nm @ 15kV（二次电子）；
2、低电压分辨率≤1.0nm @ 1kV（二次电子）；
3、在束重合点分辨率：≤0.6nm @ 15kV；≤2.5nm @ 1kV，边加工边观察的分辨率
4、背散射电子分辨率（BSE）： ≤2nm @ 30kV；
5、 加速电压：0.5-30kV
6、电子着陆能量范围：20eV–30keV；
7、电子束束流：0.8pA-100nA，1pA以下可以成像观察
8、 离子束电压：0.5-30kV
9、 Ga离子束分辨率≤2.5nm @ 30kV
10、Ga离子束流强度：0.1pA–65nA。
11、 离子束视场≥0.9mm @8kV或≥1mm @30kV
12、冷冻台 温度范围：-190℃至+5℃
13、 原位加热台最高温度≥1200℃，升温时间≤100ms -
用于金属、半导体、电介质、多层膜结构等固体样品上制备微纳结构；高质量定点TEM样品制备；化学和晶体结构三维形态分析；离子束刻蚀、离子束沉积、电子束沉积；可进行金属样品的沉积等功能;常规扫描电镜功能，如二次电子相，背散射电子相，EDS，EBSD等。
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1、样品应是干燥样品。
2、样品在真空中应保持稳定。
3、粉末样品如果不是特别细，应用碳导电胶粘在台上。
4、严禁测试磁性粉末或易磁化粉末。
5、导电性不好的粉末应予以喷金处理 -
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300元/样品
