-
频率范围：3μHz ~ 20MHz, 阻抗范围: 0.01Ω ~ 100TΩ
电容范围：1fF~1F, 相位差精度：2*10-3
损耗精度（tan(δ)）：3*10-5, 直流偏压：±40V
温度范围：-160℃至400℃, 控温精度：±0.01℃
升温速率：0.01~30℃/min, 频率范围：3μHz ~ 20MHz
阻抗范围: 0.01Ω ~ 100TΩ -
通过测量材料在不同频率和温度下的介电性质，如介电常数、介电损耗等，研究材料内部的弛豫、相变、微结构变化等物理现象。测量材料的介电常数、介电损耗等介电性质及其随频率和温度的变化，研究材料的介电损耗机制；可测量极低电导率和极低损耗的材料，具有极宽的阻抗分析范围；能测量各种固体电性能参数。
-
常温下和温度变化下测量不同材料在极宽频率下各种参数
-
周一到周五（工作日）
-
300元/时
