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1. I-V 源测量单元(SMU)：± 210 V/1 A 模块；100 fA测量分辨率；选配前端放大器提供了 10 aA测量分辨率；10 mHz - 10 Hz 超低频率电容测量；4线连接。
2. 包含3个中功率直流IV测量单元，最小（100nA/100fA/30pA）； 最大（105mA/100nA/3uA）；电压表测试量程/分辨率/精度最小（200mV/1uV/100uV）；最大（210V/200uV/3mV）；
3. 系统扩展性：半导体特性综合测试仪后面板具有不少于9个基于PCI总线的插槽，用于插入核心测量部件—SMU，插槽的设计采用竖型插入方式，这样可以最大程度地进行系统散热。
4. C-V 多频率电容单元(CVU)：AC 阻抗测量 (C-V, C-f, C-t)；1 kHz - 10 MHz 频率范围；± 30 V (60 V差分)内置DC偏置源；可以扩展到± 210 V(420 V 差分)；选配 CVIV 多通道开关，在 I-V 测量和 C -
1. 主要用于为二维器件提供各种性能测，包括：纳米器件：电阻、Id-Vg、Id-Vd、Ic-Vc 等；双极晶体管：Ic-Vc、二极管、Gummel 曲线图、击穿、三极管、电容；
2. 存储器：Vth、电容、耐久测试等；
3. 功率器件：脉冲 Id-Vg、脉冲 Id-Vd、击穿等；
4. CMOS：Id-Vg、Id-Vd、Vth、击穿、电容、QSCV 等；分立器件：Id-Vg、Id-Vd、Ic-Vc、二极管等。 -
主要用于为二维器件提供各种性能测，包括：纳米器件：电阻、Id-Vg、Id-Vd、Ic-Vc 等；双极晶体管：Ic-Vc、二极管、Gummel 曲线图、击穿、三极管、电容
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