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极限真空：5*10-5Pa；抽速：从大气抽至7*10-4Pa，用时小于40min；真空保持：系统停泵关机12小时后，真空度≤5Pa；基片加热：温度可达600度，升温速率5-20℃/min。
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双室热蒸发镀膜系统可为基片表面金属薄膜、无机非金属薄膜、有机小分子薄膜的真空状态下生长提供电子枪蒸发与电阻热蒸发两种生长模式。
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薄膜制备
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最多提前预约 7 天,最少提前 10 分钟预约
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电阻蒸发金属膜厚100元/50nm，最低100元。电子束蒸发膜厚100元/10nm，最低100元。薄膜制备设备
