ICP刻蚀系统
- 规格型号：PlasmaPro System100
- 仪器分类：核仪器 -> 离子束分析仪器 -> 其他
- 生产厂商： Oxford Instruments/PlasmaPro System100
- 仪器设备类别： 专用
- 河南大学
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可处理2 "晶片，采用真空进样室。其温度范围为-150 ° C至700° C。6 路含F气箱
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低温硅刻蚀，深硅刻蚀、III - V族刻蚀工艺，通过刻蚀孔、光子晶体和许多其他应用，材料范围广泛（InP, InSb, InGaAsP, GaAs, AlGaAs, GaN, AlGaN,等）
高品质，高速率SiO2沉积，可应用于光子器件
金属（Nb, W）刻蚀 -
制备类设备，2寸以内大小基片
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仅可针对固态块体，薄膜样品进行刻蚀，请提前一周预约并联系管理员确定具体加工细节
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300元/小时
