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加速电压：100V-8kV
减薄角度：-10°到+10°
离子电流密度峰值：10mA/cm²
样品尺寸：3mm直径圆盘
旋转速度：1-6rpm
x、y 位移：±0.5mm -
通过高能氩离子束轰击样品表面，将样品原子或分子逐层去除，实现纳米级厚度减薄，精确控制离子束能量、角度、曝光时间和样品旋转速度，确保样品均匀减薄和完整性。
高精度控制：加速电压在100V-8kV可调，减薄角度为-10°到+10°，离子电流密度峰值10mA/cm²，样品台移动范围x/y±0.5mm，可精确控制样品减薄。
具有双侧和低角度研磨的功能
通过对离子束的调整可提供单面及双面研磨
合并装置无须冷冻镜台--CCD即时影象系统(选配)
CAIBE大大改进了对半导体材料的研磨厚度 -
适用於TEM样品前处使用:表层全方位高速研磨
适用于金属、陶瓷、半导体、薄膜、复合材料、颗粒等各种材料的透射电镜试样制备，包括截面样品 -
周一到周五(工作日)
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50元/样
