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1、二次电子(SE)像分辨率:30kV时3.0nm, 3kV时8.0nm;
2、背散射(BSE)像分辨率:30kV时3.0nm, 3kV时8.0nm;
3、放大倍率:1~1000000×
4、.加速电压0.2KV to 30KV
5、电子束电流1pA—2uA
6、样品台直径:100mm
7、样品最大高度:145mm
样品台行程: X=130mm,Y=130mm,Z=100mm,T=-30°~+90°、R=360° -
用于显微结构、组织形貌、断面、微区成分等分析。
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用于显微结构、组织形貌、断面、微区成分等分析。
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专人管理,提前预约。
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依据服务项目技术要求的难易程度,参照市场价收费。