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1.载片盘：至少配置 3个载片盘，，载片盘为石英材质，一个带中央 8 英寸凹槽，一个带中央 4 英寸凹槽，另有一个后期定制；
2.气体管路：至少配置 5 路工艺气路，包括CHF3,CF4,SF6,Ar,O2；
3. 氧化硅刻蚀
掩模：光刻胶 PR
样品尺寸：2 英寸到8 英寸
刻蚀速率：>20 nm/min
对光刻胶的选择比：>1.0
单片均匀差异性：小于等于± 5% (4英寸)
批次均匀差异性：小于等于± 5% (2英寸 x 7)
批次重复差异性：小于等于± 3% (2英寸 x 7)
边缘去除： 5 mm
4.氮化硅刻蚀
掩模：光刻胶 PR
样品尺寸：2 英寸到8 英寸
刻蚀速率：>30 nm/min
对光刻胶的选择比：>1.0
单片均匀差异性：小于等于± 5% (4英寸)
批次均匀差异性：小于等于± 5% (2英寸 x 7)
批次重复差异性：小于等于± 3% (2英寸 x 7)
边缘去除： 5 mm -
反应离子刻蚀机（RIE）是使用了化学气体和物理轰击反应来刻蚀衬底表面的材料，刻蚀材料包括硅，二氧化硅，氮化硅等介质，用于制备加工高精度微纳尺寸介质光子晶体薄膜等
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刻蚀氮化硅、氧化硅、硅等硅基材料
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最大刻蚀深度不超过1um；不可离子轰击刻蚀金。样品不能是粉末或液体。
可选刻蚀材料为Si，SiO2，Si3N4，刻蚀深宽比：孔图形小于2：1 -
30元/样品
