-
分辨率：3nm@30kV(SE)；8nm@3kV(SE)；4nm@30kV(BSE) 。
加速电压：0.2kV~30kV。
放大倍数连续可调，放大倍数范围：1x~300000x(底片放大倍数)，1x~16x(光学放大)。
电子束束流：数pA~2.5pA；电子束发射束流：60~100uA
真空系统：1台涡轮分子泵240L/s；1台机械泵16m'/h(4.4L/s)。
真空度：优于5×10°Pa；抽真空时间：5min； 放气时间：2min。
最大载入样品尺寸：直径250mm，高53mm
二次电子探测器(SE)1套。
高真空背散射电子探测器(BSE) 1套
配有能谱仪及配套软件，能够进行元素的点、线、面分析 -
材料表面微观形貌的观察，及元素成分分析。
-
微观组织的观察及能谱分析
-
1.要求样品无毒、无放射性、干燥无污染、热稳定性好、耐电子束轰击。
2.禁止观测有腐蚀性的化学试剂、液态及强磁性样品。
3.如材料表面无导电性或导电性较差，需先进行喷金处理。
4.粉体样品：常规粉末直接粘到导电胶上测试。 -
微观形貌测试：300元/时
微观形貌测试加能谱分析：400元/时
