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1.离子源种类: 液态 Ga 离子源
2.交叉点分辩率:2.5nm @ 30kV
3. ERE: 最低加速电压500V, 最高加速电压为30kV
4. 束流强度:1PA-100NA
5.能谱仪
5.1 硅漂移(SDD)电制冷探测器
5.2能量分辨率:在130,000CPS条件下Mn-Ka保证优于129eV，轻元素分辨率C-K/57eV, F-K/67eV;
5.3元素分析范围:Be4~Cf98;
5.4谱峰稳定性:1,000cps到100,000cps，MnKa峰谱峰漂移小于1eV，48小时内峰位漂移小于1.5eV;
6.EBSD
6.1高灵敏CMOS相机:分辨率720X540像素;
6.2可实现能谱和EBSD数据同步采集，最大速度525pps;
6.3衍射花样离线标定速度>50,000花样/秒;
6.5配置同轴TKD探头，有效空间分辨率可达2nm；
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高分辨率成像：提供纳米级分辨率的电子显微成像，适用于观察样品的表面结构和微观细节。结合离子束成像，能够对样品进行三维重建和深入分析。纳米加工和样品制备：使用聚焦离子束进行精确的纳米加工，适用于纳米级的刻蚀、沉积和掩模制造。制备高质量的透射电子显微镜（TEM）样品片，通过精细的切割和抛光实现无损的样品制备。材料表征和分析：结合能谱分析（EDS）及EBSD，能够进行元素组成、化学分析及晶体学信息表征。应用于材料科学、半导体研究、生物样品的表征等多个领域。三维纳米结构制造：通过逐层去除材料并成像，能够实现三维纳米结构的制造和分析。适用于纳米器件的原型制作和复杂纳米结构的研究。
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高分辨率电子显微成像：提供纳米级分辨率的电子显微成像，用于观察和分析样品的微观结构和表面细节。
纳米级样品加工与制造：利用聚焦离子束进行精确的纳米加工，包括刻蚀、沉积、掩模制造和纳米结构雕刻。
透射电子显微镜（TEM）样品制备：通过精细的离子束切割和抛光，制备高质量的TEM样品片。
EDS及EBSD：进行元素组成、化学分析及晶体学信息表征
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为确保高性能聚焦离子束（FIB）与电子束（SEM）双束系统的有效使用和维护，请仔细阅读以下用户须知：1. 使用前准备培训要求：所有用户在使用设备前必须完成操作培训并通过相关考核。未接受培训的人员不得操作设备。预约制度：使用设备前需提前预约。预约时请详细说明实验需求和预期使用时间。2. 安全操作防护措施：操作时请穿戴适当的防护装备，如防护手套和护目镜，以防止意外伤害。样品准备：确保样品已按照要求进行预处理，并符合设备操作规范。不得使用含有挥发性或易燃物质的样品。设备检查：使用前应检查设备状态，确认无异常。如发现问题，请立即报告给技术支持人员。3. 操作规程标准操作程序：严格按照标准操作程序（SOP）进行操作，避免未经授权的操作和调整。数据保存：实验数据应及时保存并备份，防止数据丢失。请勿在设备操作界面上进行与实验无关的操作。维护与保养：使用后请按照要求进行设备清洁和维护，保持设备的清洁和良好状态。4. 使用规章使用记录：每次使用后请详细填写使用记录，包括使用时间、样品信息、操作步骤和遇到的问题等。耗材管理：合理使用耗材，避免浪费。特殊耗材的使用需提前申请并获得批准。
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具体收费要求需与设备管理员确认
