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                                    光谱范围:200nm 到1100nm,
 全光谱范围内可快速连续扫描,无接谱。其中:
 532nm激发波长,光谱范围:100-9000cm-1;
 785nm激发波长,光谱范围:100-3500cm-1;
 空间分辨率:在x100倍镜头下,使用532nm激发波长测试单晶硅片,横向分辨率0.4微米 ,光轴方向纵向分辨率1.5微米,共焦深度连续可调。
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                                    ①官能团定性分析;②结晶程度;③结构变化、相变以及所受外界的应力;④成分半定量分析;⑤晶面取向。
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                                    对材料的结晶程度、官能团、结构变化、晶面取向、相变及应力状态等进行分析,借助原位附件可实时监测变温过程中材料的物理变化和化学变化,可实时监测电池的电学性能,为材料生产和失效分析提供依据。
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