-
圆台，直径90mm。最低真空度：5*10-4 Pa。支持多种靶材，如金属、合金。样品架自转速度：2-10r/min
-
通过在真空环境下利用磁场约束等离子体，使高能离子轰击靶材，溅射出靶材原子并沉积在基片上形成薄膜。
-
用于材料表面处理如薄膜沉积、表面改性、离子轰刻等
-
1. 设备应安装在通风良好的实验室或专用房间中，确保通风畅通，防止气体积聚和中毒的发生。环境温度应在0 — 40℃，相对湿度20-50％。
2. 操作人员应经过相关安全培训，了解设备的工作原理、操作规程和应急措施
3. 确保设备接地良好，操作时避免接触带电部件 -
协议收费
