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协议收费
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用于轻掺单晶硅片快速热退火处理研究
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单晶硅片快速热退火处理
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提前预约
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1.快速退火炉兼容 Wafer尺寸：4-12英寸晶圆或者最大支持300×300mm 产品，兼容12寸及以下晶圆；
2.温度过冲：50℃/s升温至1200℃温度过冲不超过3℃；
3.配备TC Wafer 及TC Wafer专用软件，提供wafer Mapping功能，提供可视化温度均匀度；
4.制程温度范围：RT-1250℃；温区数量：16组；
5.红外灯管数量：41支；单灯管功率：3Kw；
6.最高升温速率：100℃/s（裸片）可编程；温度重现性：±1℃；
7.温度均匀性：室温~1000°C@±5℃ ±7℃1000℃；±10℃@1200℃；温度控制：红外高温计；
