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1、离子源种类：液态Ga离子源; 2、交叉点分辨率：3.0 nm@30 kv; 3、加速电压：0.5 kV - 30 kV；4、束流强度：0.6 pA - 65 nA；5、电子束分辨率 1.0 nm @ 15 kV、1.4 nm @ 1kV；6、电子束着陆电压：20 eV-30 keV (连续可调)；7、束流强度：1 pA-400 nA；8、样品台X、Y方向移动范围不低于110 mm，Z方向移动范围不低于65 mm；9、样品台倾角范围 -15°到+90°。
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用于金属、半导体、电介质、多层膜结构等固体样品上制备微纳结构；TEM样品制备；离子束刻蚀、离子束沉积、电子束沉积；可进行金属样品的沉积等功能。
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非磁性固体样品微区表征、微纳结构制备
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提前一周预约，遵守校内科研管理规定。
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自主上机：校外2000元/小时，校内800/小时
