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1.分辨率:二次电子(SE)像:15kV时0.9nm;1kV时1nm;500V时 1.2nm;放大倍率范围:15~1000,000倍(根据加速电压和工作距离的改变，放大倍数自动校准):发射电压范围:200V~30kV;着陆电压范围:20V30kV；
2.最高加热温度:1400℃;温度控制精度:士2℃；
3.最大载荷:5000N;载荷控制精度:土1N；
4.SE 最高试验温度:1200℃;EBSD最高试验温度:1000℃;温度控制精度:士2℃。 -
观察各种材料的微观形貌。配备原位台可完成原位高低温控制试验、原位高温相变测试、原位高温力电测试、原位高温疲劳试验及各种纳米精度运动操作。搭配晶体学分析模块、成分分析模块，主要用于表征材料的微观结构、变形行为、相变与析出行为、晶界工程优化、应力状态分析、晶粒取向工程、材料相互作用、材料热处理优化、晶体学模拟验证，进行材料性能表征等相关内容研究。
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观察各种材料的微观形貌。配备原位台可完成原位高低温控制试验、原位高温相变测试、原位高温力电测试、原位高温疲劳试验及各种纳米精度运动操作。搭配晶体学分析模块、成分分析模块，主要用于表征材料的微观结构、变形行为、相变与析出行为、晶界工程优化、应力状态分析、晶粒取向工程、材料相互作用、材料热处理优化、晶体学模拟验证，进行材料性能表征等相关内容研究。
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需与设备管理员沟通具体样品要求
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具体收费需与设备管理员沟通
