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"1）激光器：双系统紫外激光器，功率30W和80W，波长355nm，脉冲宽度10～40ns，重复频率50～300kHz，切割线宽＜20μm；
2）振镜与聚焦系统：扫描速度3500mm/s（直线最高5000mm/s），重复扫描精度±1μm（F100），聚焦光斑10μm，扫描幅面45mm×45mm；
3）运动平台：X轴行程200mm，解析度0.1μm，最大速度500mm/s（工位一）/300mm/s（工位二），加速度1g/0.5g，定位精度±1μm/±2μm，重复定位精度±1μm；Z轴行程70mm，最大速度25mm/s，定位精度±2μm，重复定位精度±1μm；
4）对焦与功率监测：影像自动对焦，配置20W功率计探头；
5）冷却系统：自带冷水机，控温精度±1℃/24h，制冷量3500W；
6）集尘系统：风量400m³/h，噪音＜65dB；
7）上下料方式：协作机器人自动上下料。" -
基于超快短波长激光与材料的“冷加工”机制，实现宽禁带半导体（如SiC、GaN）、脆性透明材料（玻璃、蓝宝石）、陶瓷及高分子材料的高质量、无热损伤微纳切割、打孔及表面结构诱导。
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1）常规精密切割/划片（脆硬材料如玻璃、陶瓷每件、半导体柔性材料）；
2）微细孔/高深径比孔加工；
3）表面微纳结构/织构化处理；
4）半导体晶圆激光切割/切片（Slicing）；
5）微器件/柔性电路精细成型；
6）激光诱导功能表面制作（如SERS）。 -
不足一小时按一小时收费
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"1）常规精密切割/划片150元/件（脆硬材料如玻璃、陶瓷每件加100，半导体柔性材料每件加200）；2）微细孔/高深径比孔加工200元/件（阵列群孔加工按300元小时/缝隙，孔径小于50μm每件加100）；3）表面微纳结构/织构化处理350元/小时（涉及空间/时域脉冲调节等复杂工艺开发，桌面加150）；4）半导体晶圆激光切割/切片（Slicing） 1200元/片（针对SiC、GaN等宽禁带半导体，厚度超过300μm每片加400）；
5）微器件/柔性电路精细成型500元/组（含工艺参数调试费，复杂异路径形切割每组加200）；6）激光诱导功能表面制作（如SERS）1500元/组（包含激光加工及后续金属化学沉积辅助费用）；"
