分子束外延系统

超高真空沉积腔体，本底真空优于10-9mbar。
可集成多种薄膜制备和表面分析设备，如磁控溅射源、离子源、STM、XPS等。
可以通过软件编写工艺流程，系统自动执行，可实现多层膜的自动化生长。
提供激光分子束外延系统原位监测的RHEED的电子枪通常需要工作在较高的真空环境下（小于10-6mbar），但LMBE系统在成膜过程中往往需要较高的工艺压力，我们的LMBE采用的是STAIB公司生产的差分抽气RHEED，系统的最高工作气压可达100Pa。

激光分子束外延系统（LMBE）是在传统的分子束外延（MBE）和脉冲激光沉积系统（PLD）的基础上发展而来的，PLD与提供原位监测的反射高能电子衍射仪（RHEED）相结合，使得系统能够实现类似于MBE的，单原子层精度的薄膜生长。相比于MBE的热蒸发，它是使用脉冲激光的高能量使材料蒸发甚至电离，因此被称作Laser MBE（激光分子束外延系统）。LMBE属于高端薄膜制备设备，适用于生长各种纳米尺度的单层膜或多层膜。

集成多种薄膜制备和表面分析设备，如磁控溅射源、离子源、STM、XPS等。

为避免交叉污染，只能做当时系统正在使用的气源和前驱体。需提前1个月申请。

2000元/炉。