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1.刻蚀不均匀性 ±2%～±5%
；2.刻蚀角度调节 ±45度；
3.刻蚀速率 10nm～500nm/min
；4.工作气路1路； -
本产品利用低能量平行Ar+离子束对基片表面进行轰击，将基片表面未覆盖掩膜的部分溅射出，从而达到选择刻蚀的目的。离子束刻蚀是纯物理刻蚀过程，在各种常规刻蚀方法中分辨率最高、陡直性最好，可以对绝大部分材料进行刻蚀，例如：金 属、合金、氧化物、化合物、半导体、绝缘体、超导体等。产品适应于Φ6英寸以下尺寸片状或类似片状样品的刻蚀。
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主要服务于本单位教师的科研需求；
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1.提前1星期预约；
2.每天最多刻蚀两个样品；
3.每周一、三、五开放； -
1000元/次
