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可测量硅片表面0.10~1.0微米颗粒
颗粒捕捉率 *95% @ 0.10um
测试重复性 *≤ 1.0% @ 1σ
测试准确性 缺陷颗粒数量的重复性<1%在1个标准差（评价500个缺陷在0.204um的PSL上）
单次测量表面颗粒增量
*≤0.001%个≥0.12um的缺陷每平方厘米每次扫描
边缘去除量 *边缘去除量可以设定，3mm为典型设定值
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可进行颗粒、划道、抛光雾、COP、小丘、橘皮等表面不平整面缺陷测量，具备明场及暗场测试功能，可区分凹陷与突起的缺陷。
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φ6″～φ8″抛光硅片表面颗粒测量
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提前3-7天预约
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6“~8”抛光硅片；1000元/片
