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分辨率:3.0 nm @ 30KV (SE与W);4.0 nm @ 30KV (VP与BSD);
加速电压:0.2-30KV;
放大倍数:5-1000000x;
探针电流:0.5PA-5μA。 -
用于采集二次电子、背散射电子等信号对各种固体材料表面、截面样品断面进行的微观形貌分析
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分析表征材料微观形貌与细节信息,与能谱分析。
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暂无
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