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1、刻蚀室极限真空度：≤9.0×10-5Pa；
2、刻蚀材料：硅、石英、Ⅲ-Ⅴ族化合物、陶瓷以及各种金属、非金属硬质薄膜等；
3、刻蚀速率：≥ 10 nm ~ 200 nm /min (视具体刻蚀材料与工艺)；
4、离子源：Φ150mm口径圆形直流离子源；
5、Ar+离子能量范围： 100~1000 eV；
6、离子束流密度： 0~1 mA/cm2。 -
本设备具有微结构光电子器件样品进行微米量级图形曝光制作的能力，可以作为刻蚀系统的后套工序在衬底上形成精细图形。
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本设备服务内容为集成电路、分立电子元件、传感器、MEMS、光电器件（如LED、OLED、平板显示）、声表器件、微流道、生物芯片、PCB板等的加工制备。
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300/小时
