-
真空室直径Ф 500mm。主腔室（PLD chamber）：本底极限真空度 <9´10-9 Torr；进样室（loadlock chamber）：真空度 <5´10-7 Torr；在0.1Torr氧气压下可加热至1200摄氏度
-
制备半导体材料、沉积复杂氧化物薄膜、合成新的高温超导材料、铁电材料、电-光和光学材料、透明导电氧化物、功能陶瓷、纳米粒子、铁磁材料等薄膜材料。
-
提供薄膜制备平台
-
在满足校内教学科研的基础上，多外进行开放共享，实行网上预约，或者提前电话联系有关事项。
-
100元/小时
